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Se dice, se comenta: ¿iPhone 6S con Force Touch y 2Gb en RAM?

Durante la semana surgieron nuevos rumores en torno a la que será la futura generación del iPhone, estamos hablando del supuesto «iPhone 6S» y es que como bien sabemos, Apple renueva cada año su histórico teléfono originalmente presentado en 2007.

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Dichos rumores provienen directamente de un medio taiwanés y habla concretamente de que este nuevo iPhone poseerá 2Gb en memoria RAM gracias al uso de los nuevos chips de memoria LPDDR4 RAM.

Estos nuevos módulos de memoria destacan debido a que doblan el ancho de banda en comparación con su predecesor (actualmente utilizado en los iPhone 6/6 Plus) pudiendo llegar hasta los 34Gb/s y mejorando con ello el rendimiento del terminal sin incrementar en absoluto el consumo de energía.

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Es así como según fuentes de la misma cadena de producción, dichos chips LPDDR4 RAM serán fabricados principalmente por: Samsung, Hynix y Micron-Elpida, siendo estos dos últimos identificados por iFixit como los encargados de proveer los módulos con los que actualmente cuentan los iPhone 6/6 Plus.

Aunado a lo anterior, también se habla de la posibilidad de que Apple implemente la tecnología «Force Touch» actualmente presente en el recién presentado Watch y que permitiría al dispositivo identificar la presión con la que se golpea la pantalla para, en función de eso realizar diferentes acciones.

¿Qué características os gustaría que llevara el futuro iPhone?

Vía